SJT 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
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ID： |
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文件大小(MB)： |
2.77 |
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11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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ICS 31.260,L45,备案号: SJ,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 11399—2009,半导体发光二极管芯片测试方法,Measurement methods for ch i ps of I i ght em i tt i ng d i odes,20097 1 -1 フ发布 2010-01-01 实施,中华人民共和国工业和信息化部发布,SJ/T 11399—2009,刖 s,本标准旳附录A、1附录B为赘料性附录.,本标准向工业和信息化部电子工业标准化研究所归ロ,本标准由半导体照明技术标准工作组组织起草.,SJ/T 1139J2009,二丒.<,HI =,コ I 「k-4： ',?丒”.「丒7 , ?<■■ 二:',”?. ; ;,>,[. ■ .L, . .：：-： [ ゝ.. ，ヽ:..?一 % ?, ' ..,LED芯片溪试方法主要涉及LED芯片的电、辐射度和光度及;色度学参数:.包括正向电压、反向电流、,:；,自品坐标、主波长、色纯度、光强度和光通量等.;另外,LED热学参数如结温、热阻和静电放电测试方,ゴ[.法;[包括人体模式和机耨模式辄试等在生产实践中也常用到。为进ー步推进和规范LED芯片测演和试验,ニュ;工作并和国处接轨,必须制定产业界切实有效的LE口芯片测试方法的标准,二一；.:;二:虽然L呢芯片测试的原理与已封装器件类似,但星在测试的准确性、可重复性和可比对性方面仍然存「,ニ1:在许多问题9因此本标准对芯片测试的关键部分作出了统一明确的规定,例如规定了探针台表面反射率ー,「探针的直徒、弹性和角度銀同时标准还推荐了不同测试装置之间定标校准的方法,使芯片的测试可以,:?在可編「重复性好的情况下进行,’:,一-ニ一;一,;晻??■■-,?■ ■,::蟀:?：,二:'；,.ニ【,n,SJ/T 11399—2009,半导体发光二极管芯片测试方法,范围,本标准规定了半导体发光三极管芯片（以下简称芯片）的辐射度学、光度学、色度学、电学、;:热学「.,参数以及电磁兼容性的测试方法。 :：,本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片灰濫口红外光发光一發誓芯片以及外延片的洪试可:",下列文件中的条款』,单（不包括勘误的内蒙ンズ,可使用这些文件的量费,GB/T 5698—：,GB/T 114996,GB/T 15651,3术语、,GB/T,3. 1,5698、.,探针台,由測试探针、,展,2规范性引用文件,113,定义,4芯片点亮和测试条,IDT),SJ/T,参考执行,0747-5..： 1992,.：：,半导キ,成,用,A,导,半导,用而成为本标准的条款。】,峻均不适用于本标准,館府,,鼓励根,用文件,某髄后的修改-,岛协议的筍方研究是否二,文:伴,其最新1,を机案成电路第5,確。:,光电子;,4.1 芯片点亮条件,4.1.1 探针台,4. 1. 1. I 通则,芯片点亮时的结温变化对LED电参数、光参数和辐射通量、光的波长剧颜色等都会有很大影响;同:,时,芯片点亮射的探针、基底等都有不稳定的因数,.因此应该对探针和探针台基底的性能和参教作用规,定,.保证点亮邪测试芯片时可以得到稳定可第丒的测试数据,4. 1, 1.2探针台基底 ー,应该对放置:芯片的探奇台基底的大小、材质、表面反射率;表面接触性能和表面涉度作出规定,4. 1.1.3测试探针一 二,应该对渕试探针的直径.弹性、、压在芯片上的角度作出规定,4. 1.2点亮方式,4. 1.2.1芯片电弱连接 二，；,丒测试芯片时,1将鹤质探针压在痣片的电极上…完成与芯片的电气速接。:,4. 1.2,2双侧电极芯片 「,1,SJ/T 11399—2009,电极在双側的芯片应该用银浆粘贴在基底上,保证芯片稳定,测试探针接触良好.,4.1.2.3功率芯片,功率芯片应该安装在相同的金属基板上,测试探针压在电极板匕保证接触良好.,4.1.3驱动方式,驱动和测量芯片时,可用以下两种方式:,a）恒定电流驱动稳杰测试,用达到规定稳定度的恒流源点亮芯片,恒定电流应在规定值的±1%以内:按规定的时间预热,芯片丒要求芯片自身发热及周围温度变化时对测定值影响最小.,b）脉冲电流驱动瞬态测试,使用脉冲电流駆动芯片,规定电流的脉冲宽度和占空比,脉冲宽度饕大于芯片结温热平衡时间.,在驱动脉冲持续期内快速测量芯片各项参数.输入脉冲频率和占空比的允许偏差应在±2%以,内丒,4.2测量条件,除非另有规定，芯片的光电参数测网应按本标准规定的条件进行.,4. 2.1标准大气条件,标准大气条件如下:,a）温度:15 f0.35 C：,b）相对湿度:45%.75%；,c）气压:86 kPa.106 kPa,4. 2.2仲裁试验的标准大气条件,仲裁试验的标准大气条件如下:,a） 温度:25 C±1ヒ;,b） 相对湿度:48%.52%；,c） 气压:86 kPa.106 kPa.,4. 2.3环境条件,a）测it环境应无影响测试准确度的机械振动、电磁和光照等干扰;.,b）除非另有规定,芯片全部光电参数均应在热平衡下进行（要有足移测试预热时间）:,c）测量系统应接地良好.,43窝量设备,测黴设备的不确定度应符合相关规范的技术要求并检定合格,在检定周期内,按有关操作规程进行,测量丒,5电丒敷测定方法,5.1 芯片电气连接,将测试探针压在芯片的电极上或引出端上,完成与芯片的电气连接丒,5.2 正向电压,正向电压的测厳按SJ/T 11394—2009方法100し,5.3 反向电压,反向电压测量按SJ/T 11394—2009方法1002,5.4 反向电漬,反向电流测盘按……
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